时间：2025/9/14 4:15:11
阅读：7
PMEG050T150EIPDAZ 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的高性能、单向电压抑制二极管（TVS - Transient Voltage Suppressor），专为保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌脉冲和其他瞬态电压干扰而设计。该器件采用先进的 Trench 技术，具备出色的钳位性能和极低的漏电流，适用于各种高精度和高可靠性应用场景。
类型：单向TVS二极管
峰值脉冲电流（Ipp）：50A（8/20μs）
反向关态电压（VRWM）：150V
击穿电压（VBR）：最小166.5V，最大184.5V
最大钳位电压（VC @ Ipp）：240V
漏电流（IR）：最大100nA
响应时间：<1ps
封装形式：DFN1110D-3
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PMEG050T150EIPDAZ 的核心优势在于其卓越的瞬态电压抑制能力和稳定性。该器件在受到瞬态高压冲击时能够迅速导通，将电压钳制在一个安全水平，从而保护后级电路不受损坏。其低漏电流设计确保在正常工作条件下不会对系统造成额外的功耗负担，适用于电池供电设备等对功耗敏感的应用场景。
此外，PMEG050T150EIPDAZ 采用 DFN1110D-3 封装，体积小巧且具有良好的热性能，适用于空间受限的高密度 PCB 设计。其高可靠性使其能够在恶劣环境中稳定运行，符合 AEC-Q101 汽车级可靠性标准，适合用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品等关键领域。
该器件的响应时间极短（小于 1ps），能够在瞬态电压事件发生时迅速作出反应，有效防止电压尖峰对敏感电路造成损害。其 50A 的峰值脉冲电流承受能力确保在高能量瞬态事件中仍能保持稳定工作。
PMEG050T150EIPDAZ 主要用于需要高精度电压保护的场合，如汽车电子系统的电源线和信号线保护、工业控制设备的输入输出端口保护、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）的接口保护等。其低漏电流和小型封装使其特别适合用于便携式设备和高密度电路板设计中。
PMEG050T150EPDX, PMEG050T150EADYZ
