时间：2025/9/14 10:05:28
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PMEG045T050EPDZ是一款由Nexperia（安世半导体）生产的功率MOSFET，采用Trench MOSFET技术，适用于高效率、高功率密度的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高电流能力和优良的热性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理和电池供电设备等领域。PMEG045T050EPDZ采用无铅环保封装，符合RoHS和REACH标准，适用于工业和消费类电子产品。
类型：功率MOSFET
技术：Trench MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷（Qg）：13nC @ Vgs=10V
封装类型：DFN1006BD-8
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
功率耗散（Pd）：1.4W
PMEG045T050EPDZ具有多项优良特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为50mΩ，在4.5V栅极电压下工作时能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用先进的Trench MOSFET工艺，提供了较高的电流处理能力和更低的开关损耗，从而在高频开关应用中表现出色。此外，PMEG045T050EPDZ的封装设计优化了热性能，使热量能够更有效地散发，提升了器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
该MOSFET的栅极电荷（Qg）为13nC，在10V栅极电压下具有较快的开关速度，适用于需要快速切换的应用场景，如DC-DC转换器和负载开关。其DFN1006BD-8封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，而且具有良好的机械稳定性和电气性能。此外，该器件的工作温度范围广泛，支持-55°C至150°C之间稳定运行，适用于各种严苛环境下的工业和消费类电子产品。
PMEG045T050EPDZ还具备良好的抗静电能力（ESD）和短路耐受能力，增强了其在实际应用中的可靠性和耐用性。其无铅环保封装符合RoHS和REACH指令，满足现代电子产品对环保的要求。
PMEG045T050EPDZ广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、LED驱动器、电池管理系统以及便携式电子设备等。在DC-DC转换器中，该器件可作为同步整流器或主开关使用，以提高转换效率。在负载开关应用中，它能够实现低功耗和高效率的电源控制。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、智能电表、通信设备以及消费类电子产品如智能手机和平板电脑中的电源管理系统。
PMEG045T050EPE, PMEG045T050EPD
