PMDT670UPE 时间：2025/4/28 13:18:45 阅读：2

PMDT670UPE是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-252封装形式。该器件适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域，具有低导通电阻和高开关速度的特点。PMDT670UPE能够在高频工作条件下保持较高的效率，并且具备良好的热性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：43A
　　导通电阻（典型值）：3.5mΩ
　　总功耗：115W
　　结温范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-252

特性

PMDT670UPE的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性。
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频开关应用，从而减少磁性元件体积和成本。
　　3. 具备较强的雪崩能力，增强了在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 封装结构紧凑，散热性能良好，非常适合空间受限的应用环境。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅设计，满足全球环保法规要求。

应用

PMDT670UPE广泛应用于多种电力电子领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器或主开关。
　　2. DC-DC转换器和降压/升压电路中的功率开关。
　　3. 电机驱动应用中作为逆变桥臂的功率器件。
　　4. 各类负载切换和保护电路，如电池管理系统（BMS）。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。