时间：2025/9/14 11:01:45
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PMDT290UNEYL 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽栅技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中，例如在电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路中。该 MOSFET 采用 DFN5x6 封装，具有较小的体积和良好的热性能，适用于紧凑型设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：42nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：DFN5x6
PMDT290UNEYL 具有多个显著的性能优势，首先是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其导通电阻典型值仅为 5.3mΩ，使得在高电流应用中也能保持较低的压降和发热。
其次，该 MOSFET 使用了先进的沟槽栅技术，进一步优化了导通电阻与开关性能之间的平衡。同时，它具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
此外，PMDT290UNEYL 采用了 DFN5x6 封装，具有较小的体积和出色的散热性能，适用于空间受限的高密度 PCB 设计。这种封装形式还支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
该器件还具备良好的耐用性和可靠性，能够在严苛的环境条件下工作，适用于工业级和汽车电子等多种应用场景。
PMDT290UNEYL 被广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器和电源分配系统。此外，它也可用于汽车电子系统中的功率控制模块，如车载充电器、LED 照明驱动电路和电动助力转向系统（EPS）等。
由于其低导通电阻和高效的开关性能，该 MOSFET 在高效率和高功率密度要求的应用中表现出色。例如，在服务器电源、通信设备电源模块以及便携式电子设备的电源管理系统中，PMDT290UNEYL 都可以发挥重要作用。
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"PMDT290UN, PMDT290UNEY, PSMN2R0-30YL"
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