PMDT290UCE 时间：2025/9/15 3:23:18 阅读：11

PMDT290UCE 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 STMicroelectronics 生产。这款晶体管设计用于高功率开关应用，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性。PMDT290UCE 通常用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、电池充电系统以及工业自动化设备中。其封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），便于安装在 PCB 上并具有良好的散热性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）@25°C：13A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

特性

PMDT290UCE 的关键特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其最大漏源电压为 600V，适用于中高功率开关电路，如电源适配器、充电器、LED 驱动器等。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
　　另一个显著特点是其快速开关能力，减少了开关损耗，提高了整体系统性能。TO-252 封装提供了良好的散热性能，适合表面贴装工艺，有助于在紧凑型设计中实现高功率密度。PMDT290UCE 还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围适中，通常在 10V 左右即可实现完全导通，兼容常见的驱动电路设计。此外，其栅极阈值电压较低（2V~4V），使得其在低电压控制电路中也能有效工作。这种特性对于需要节能设计的系统尤为重要。

应用

PMDT290UCE 主要用于需要中高功率开关能力的电子系统中。典型应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动器、电池充电器、LED 照明驱动电路以及工业控制设备中的功率开关。在电源适配器和开关电源中，PMDT290UCE 可作为主开关器件，用于高效能的电能转换。在电机控制应用中，它可用于 PWM 控制，实现对电机速度和方向的精确调节。此外，它也广泛用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源系统中，作为功率开关元件。
　　由于其良好的热性能和高可靠性，PMDT290UCE 也适用于车载电子系统，如车载充电器、电动工具和电池管理系统。在这些应用中，MOSFET 需要承受较高的工作电压和电流，并在恶劣环境下保持稳定运行。