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PMDPB95XNE2 发布时间 时间:2025/8/2 5:55:54 查看 阅读:22

PMDPB95XNE2 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型晶体管。该器件适用于高频率开关应用,具有低导通电阻和高耐压能力,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。PMDPB95XNE2采用了先进的沟槽栅技术和优化的封装设计,使其在高电流和高温环境下依然保持良好的性能和稳定性。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):160A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):200nC
  最大功耗(Pd):200W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6
  

特性

PMDPB95XNE2具备多项优异的电气和热性能,首先其低导通电阻(Rds(on))仅为4.5mΩ,有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件的最大漏极电流可达160A,能够在高负载条件下稳定工作。此外,PMDPB9XNE2采用先进的沟槽栅技术,提供更好的开关性能和更低的开关损耗,适合高频应用。其PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,而且具有良好的散热性能,确保在高功率运行时仍能保持较低的温度上升。
  另一项显著特性是其高耐压能力,最大漏源电压为100V,能够应对各种高压应用场景,提供更高的系统可靠性。同时,该器件的栅极电荷(Qg)为200nC,在高频开关条件下仍能保持良好的响应速度和控制性能。PMDPB95XNE2的热阻(Rth)较低,使得热量能够更有效地从芯片传导至外部环境,从而延长器件寿命并提高整体系统的稳定性。
  此外,PMDPB95XNE2在极端温度条件下仍能稳定工作,其工作温度范围为-55°C至+175°C,适用于工业级和汽车级应用环境。这种宽温度范围特性使其在严苛环境下仍能保持高性能表现。

应用

PMDPB95XNE2广泛应用于多种电力电子系统中,尤其是在需要高效率、高频率和高电流能力的场景。例如,在DC-DC转换器中,PMDPB95XNE2可作为主开关器件,其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率并减小系统尺寸。在电机驱动和电动工具中,该器件可用于H桥结构以控制电机的方向和速度,提供高效且可靠的控制能力。此外,PMDPB95XNE2还可用于电源管理系统、电池充电器、负载开关和逆变器等应用,其高电流承受能力和良好的热稳定性使其成为工业自动化、新能源和电动汽车等领域中的理想选择。
  由于其优异的性能,PMDPB95XNE2也常用于汽车电子系统,如车载充电器(OBC)、电动助力转向(EPS)和48V轻混系统等,满足汽车电子对高可靠性和长寿命的要求。同时,该器件的封装设计也便于自动化生产和散热管理,适合大批量应用。

替代型号

IPB013N10N3 G, IPPB95N10N3 G, STP150N10F7AG

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