时间：2025/8/2 5:55:54
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PMDPB95XNE2 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型晶体管。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高耐压能力，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。PMDPB95XNE2采用了先进的沟槽栅技术和优化的封装设计，使其在高电流和高温环境下依然保持良好的性能和稳定性。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：160A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：200nC
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PMDPB95XNE2具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）仅为4.5mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的最大漏极电流可达160A，能够在高负载条件下稳定工作。此外，PMDPB9XNE2采用先进的沟槽栅技术，提供更好的开关性能和更低的开关损耗，适合高频应用。其PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具有良好的散热性能，确保在高功率运行时仍能保持较低的温度上升。
另一项显著特性是其高耐压能力，最大漏源电压为100V，能够应对各种高压应用场景，提供更高的系统可靠性。同时，该器件的栅极电荷（Qg）为200nC，在高频开关条件下仍能保持良好的响应速度和控制性能。PMDPB95XNE2的热阻（Rth）较低，使得热量能够更有效地从芯片传导至外部环境，从而延长器件寿命并提高整体系统的稳定性。
此外，PMDPB95XNE2在极端温度条件下仍能稳定工作，其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于工业级和汽车级应用环境。这种宽温度范围特性使其在严苛环境下仍能保持高性能表现。
PMDPB95XNE2广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效率、高频率和高电流能力的场景。例如，在DC-DC转换器中，PMDPB95XNE2可作为主开关器件，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率并减小系统尺寸。在电机驱动和电动工具中，该器件可用于H桥结构以控制电机的方向和速度，提供高效且可靠的控制能力。此外，PMDPB95XNE2还可用于电源管理系统、电池充电器、负载开关和逆变器等应用，其高电流承受能力和良好的热稳定性使其成为工业自动化、新能源和电动汽车等领域中的理想选择。
由于其优异的性能，PMDPB95XNE2也常用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电动助力转向（EPS）和48V轻混系统等，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的要求。同时，该器件的封装设计也便于自动化生产和散热管理，适合大批量应用。
IPB013N10N3 G, IPPB95N10N3 G, STP150N10F7AG
