PMDPB42UN 时间：2025/9/15 0:18:01 阅读：14

PMDPB42UN 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道结构，专为高效率功率转换和开关应用设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及各种中高功率电子系统。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：4.2A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为29mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：42W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP（表面贴装）

特性

PMDPB42UN 的核心特性包括其低导通电阻，使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。
　　此外，该器件具备高栅极雪崩能量耐受能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。
　　由于其较小的封装尺寸和良好的热性能，PMDPB42UN 非常适合用于空间受限的高密度电路设计。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，并支持高频操作，适用于高效率开关电源（SMPS）和电机控制应用。
　　内置的体二极管也提供了反向电流保护，适用于需要续流路径的电路。

应用

该器件广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及各种工业和消费类电子产品中的功率控制电路。
　　由于其优异的导通和开关性能，PMDPB42UN 也常用于便携式设备的电源管理单元，以提高能效并延长电池寿命。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、LED照明驱动以及电动助力转向系统中的功率开关。