额定电压：1200V
　　额定电流：50A
　　封装类型：SiC功率模块
　　导通压降：约1.45V（@25°C）
　　最大工作温度：175°C
　　绝缘等级：符合IEC 60146-1标准
　　短路耐受能力：600V/50A条件下具备短路保护功能

PMC50M120S1P-T4 功率模块采用先进的碳化硅材料，具有极低的开关损耗和导通损耗，使其在高频开关应用中表现出色。模块内部集成两个SiC MOSFET器件，构成半桥拓扑结构，便于设计者在逆变器、DC-DC转换器等电路中使用。其高耐温能力和优异的热导性能，使模块在高温环境下仍能保持稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。此外，该模块还具备优异的抗电磁干扰（EMI）性能，有助于降低系统的整体噪声水平。
　　此外，PMC50M120S1P-T4 采用紧凑型封装设计，节省了PCB空间，并简化了散热结构的设计。模块的封装材料符合RoHS标准，支持环保应用。该模块还具备出色的短路保护能力，能够在异常工作条件下保护系统免受损坏，提高系统的安全性。

PMC50M120S1P-T4 主要应用于需要高效率和高性能的电力电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电设备以及高频率电源转换器等。由于其出色的性能，该模块也适用于需要高可靠性的航空航天和军工设备中。此外，在数据中心的电源系统和智能电网设备中，该模块也展现出良好的适应性和稳定性。

SCT3045AW, SIK8442EDH, C3M0065065D