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PMC50M120S1P-T4 发布时间 时间:2025/8/20 19:02:07 查看 阅读:25

PMC50M120S1P-T4 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology 子公司)推出的碳化硅(SiC)功率模块。该模块采用先进的碳化硅半导体技术,具有高效的电能转换能力和出色的热性能,适用于高频率、高效率的电力电子系统。该模块主要面向工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车充电设备等应用领域。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:50A
  封装类型:SiC功率模块
  导通压降:约1.45V(@25°C)
  最大工作温度:175°C
  绝缘等级:符合IEC 60146-1标准
  短路耐受能力:600V/50A条件下具备短路保护功能

特性

PMC50M120S1P-T4 功率模块采用先进的碳化硅材料,具有极低的开关损耗和导通损耗,使其在高频开关应用中表现出色。模块内部集成两个SiC MOSFET器件,构成半桥拓扑结构,便于设计者在逆变器、DC-DC转换器等电路中使用。其高耐温能力和优异的热导性能,使模块在高温环境下仍能保持稳定运行,提高了系统的可靠性和寿命。此外,该模块还具备优异的抗电磁干扰(EMI)性能,有助于降低系统的整体噪声水平。
  此外,PMC50M120S1P-T4 采用紧凑型封装设计,节省了PCB空间,并简化了散热结构的设计。模块的封装材料符合RoHS标准,支持环保应用。该模块还具备出色的短路保护能力,能够在异常工作条件下保护系统免受损坏,提高系统的安全性。

应用

PMC50M120S1P-T4 主要应用于需要高效率和高性能的电力电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动、太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电设备以及高频率电源转换器等。由于其出色的性能,该模块也适用于需要高可靠性的航空航天和军工设备中。此外,在数据中心的电源系统和智能电网设备中,该模块也展现出良好的适应性和稳定性。

替代型号

SCT3045AW, SIK8442EDH, C3M0065065D