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PMBF170,235 发布时间 时间:2025/9/14 13:18:39 查看 阅读:14

PMBF170,235 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的小信号部门)生产的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用SOT-23封装,适用于低电压、低电流的开关应用。PMBF170具有低导通电阻、良好的热稳定性和高可靠性,适合用于电源管理、负载开关、逻辑驱动和小型电子设备中的控制电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:100mA
  最大漏-源电压:60V
  最大栅-源电压:20V
  导通电阻(Rds(on)):10Ω(典型值)
  阈值电压(Vgs(th)):1.5V ~ 3.0V
  功率耗散:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

PMBF170,235 是一款通用型小功率N沟道MOSFET,具备良好的导通性能和稳定性。其主要特性包括:
  1. **低导通电阻**:PMBF170的典型导通电阻为10Ω,有助于降低导通损耗,提高能效。
  2. **小封装设计**:采用SOT-23封装,体积小巧,适合在空间受限的电路中使用,如便携式电子产品、传感器电路等。
  3. **宽电压范围**:最大漏-源电压可达60V,适用于多种低压电路中的开关控制。
  4. **高可靠性**:该器件经过严格测试,具备良好的热稳定性和抗静电能力,适用于工业级和消费类电子产品。
  5. **低成本解决方案**:由于其标准化设计和广泛应用,PMBF170具有较高的性价比,是许多低功率应用中的首选器件。

应用

PMBF170,235 广泛应用于以下领域:
  1. **电源管理**:用于小型电源电路中的负载开关或电平转换。
  2. **逻辑控制电路**:作为逻辑IC与负载之间的接口,实现高低电平控制。
  3. **传感器电路**:用于信号开关或模拟信号的控制。
  4. **电池供电设备**:如手持设备、遥控器、电子玩具等,用于低功耗控制电路中。
  5. **通信设备**:用于射频开关、信号路由控制等场景。
  6. **工业控制**:如PLC输入输出控制、继电器驱动等辅助电路。

替代型号

BSN20, 2N7000, 2N7002, BSS138

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PMBF170,235参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds40pF @ 10V
  • 功率 - 最大830mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称933966340235