类型：NPN双极性晶体管阵列
　　封装：SOT23
　　最大集电极电流：100mA（每个晶体管）
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：5mA
　　功耗：300mW
　　增益带宽积：100MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据工作电流不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

PMBD2837T/R 具有多个重要特性，使其适用于广泛的电子电路设计需求。
　　首先，该器件内部包含两个独立的NPN晶体管，可以同时用于多个电路功能，如多级放大或并联使用以提高电流处理能力。这种集成设计不仅节省了PCB空间，还降低了系统复杂性和成本。
　　其次，PMBD2837T/R 的高频特性使其适用于射频（RF）前置放大器、低噪声放大器（LNA）以及高速开关电路。其增益带宽积高达100MHz，能够支持高频信号处理需求，适用于通信、音频放大和数据传输等场景。
　　此外，该晶体管具有较高的电流增益（hFE），在不同的工作电流下可提供110至800的增益值，确保了良好的信号放大性能。其最大集电极-发射极电压为30V，集电极电流最大可达100mA，因此可在中低功率的开关和放大应用中稳定运行。
　　最后，SOT23封装结构使得该器件易于实现表面贴装，适应自动化生产流程，并具备良好的热稳定性和机械强度，适用于工业级和消费级电子产品。
　　综上所述，PMBD2837T/R 是一款性能优良、应用广泛的小信号晶体管阵列，适用于多种通用电子电路设计。

PMBD2837T/R 主要用于以下几类应用场景。
　　在**信号放大电路**中，由于其高增益和高频响应能力，该器件常用于音频放大器、射频信号放大器以及传感器信号调理电路中。其双晶体管结构允许构建多级放大电路，提高整体增益和频率响应。
　　在**开关控制电路**中，PMBD2837T/R 可用于驱动继电器、LED指示灯、小型电机或其他低功率负载。其较高的集电极电流能力（100mA）和30V耐压特性，使其适用于中低功率的开关应用。
　　在**逻辑电路和接口电路**中，该器件可用于电平转换、缓冲器设计以及数字电路中的驱动电路。其双晶体管结构支持构建与非门、或非门等基本逻辑功能，也可用于构建达林顿对管结构以提高驱动能力。
　　此外，PMBD2837T/R 也广泛应用于**消费电子、工业控制和通信设备**中，例如在无线通信模块、便携式设备、传感器接口电路以及电源管理系统中均有广泛应用。
　　总体而言，PMBD2837T/R 是一款多功能的小信号晶体管阵列，适用于广泛的电子系统设计。

BC847系列, 2N3904, BC547, PN2222