时间：2025/8/12 21:43:12
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PM8821-0VV 是一颗由 Qorvo（原美国安华高 Avago）公司生产的 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）功率放大器芯片，广泛应用于无线通信系统、基站、雷达以及工业设备中的射频功率放大器模块。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 技术，具备高功率密度、高效率和高线性度的特点，适合在高频段（如 L 波段、S 波段和 C 波段）下工作。PM8821-0VV 通常用于 2.0 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围，适用于 4G/5G 基站、点对点微波通信、军事雷达等多种高功率射频应用。
工作频率范围：2.0 GHz - 2.7 GHz
输出功率（Pout）：典型值 150 W（脉冲模式）
漏极电压（Vds）：最大 50 V
漏极电流（Idq）：典型值 300 mA
增益：典型值 14 dB
效率（PAE）：典型值 60%
输入驻波比（VSWR）：≤ 2.5:1
封装形式：陶瓷金属封装（Metallic Flanged Package）
热阻（Rth）：典型值 0.35°C/W
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
PM8821-0VV 采用 GaN-on-SiC 技术制造，具备极高的功率密度和优异的热管理能力，使其在高温环境下仍能保持稳定工作。该器件具有高效率和高线性度的特性，非常适合用于需要高输出功率和低失真的通信系统。其宽频带设计可在 2.0 GHz 至 2.7 GHz 范围内提供稳定的性能，适用于多种无线通信标准，如 LTE、5G NR 和 WiMAX。此外，PM8821-0VV 还具备良好的抗失真能力和出色的耐用性，能够承受较高的电压驻波比（VSWR）而不损坏，提升了系统的稳定性和可靠性。该器件采用高可靠性陶瓷金属封装，具备良好的散热性能和机械强度，适用于严苛的工业和军事环境。
PM8821-0VV 在设计上优化了其输入/输出匹配网络，使得用户在实际应用中可以减少外部元件的数量，从而简化电路设计并提高整体系统的集成度。其高效率和高功率输出特性使其在基站和点对点通信系统中成为理想的功率放大器解决方案。此外，该器件的高耐用性和长寿命也使其在高功率脉冲应用（如雷达和测试设备）中表现出色。
PM8821-0VV 主要应用于 4G/5G 基站、点对点微波通信系统、C 波段雷达、WiMAX 基站、无线基础设施设备以及工业与军事射频功率放大器模块。其高功率输出和宽频带特性也使其适用于广播发射机、测试与测量设备以及射频能量应用系统。
PM8821-0VV 的替代型号包括 Cree/Wolfspeed 的 CGH40150 和 NXP 的 AFT05MS004N。
