时间:2025/12/29 12:57:08
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PM40-100K 是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于高功率和高频开关应用。它具备低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种电力电子系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):约0.025Ω(典型值)
最大功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-247或TO-263(依制造商而定)
PM40-100K 具备多项优良特性,适用于高功率和高效能的电力电子系统。其核心优势之一是低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统整体效率。该器件的漏源电压额定值为100V,漏极电流额定值为40A,能够承受较高的电压和电流应力,适用于中高功率应用。
此外,PM40-100K 具备快速开关能力,使其在高频开关电路中表现优异,如DC-DC转换器、同步整流器和逆变器等。其热性能良好,可承受较高工作温度,确保在恶劣环境下的稳定运行。
该MOSFET通常采用TO-247或TO-263封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于安装和散热设计。同时,其栅极驱动电压范围宽泛,适用于多种驱动电路配置。
PM40-100K 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。例如,在电源供应器中,它可以用于构建高效的同步整流电路;在DC-DC转换器中,作为主开关器件实现高效的电压转换;在电机驱动系统中,用于PWM控制实现精确的电机调速。
此外,该器件也可用于工业自动化控制、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电动汽车充电模块以及各种开关电源设计中。其高频特性使其特别适用于需要快速开关响应的场合,如高频电源变换器和LED驱动电源等。
IRF3710, STP40NF10, FDP40N10