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PM25LQ080-BWE 发布时间 时间:2025/12/28 18:00:10 查看 阅读:15

PM25LQ080-BWE 是由Puya Semiconductor(普冉半导体)生产的一款低功耗、高性能的SPI NOR Flash存储器芯片。该芯片具有8Mbit(1MB)的存储容量,采用标准的SPI、Dual SPI和Quad SPI接口,适用于各种便携式设备和嵌入式系统。

参数

容量:8 Mbit(1MB)
  接口类型:SPI、Dual SPI、Quad SPI
  工作电压:2.3V - 3.6V
  时钟频率:80MHz(最大)
  封装形式:WSON8(6mm x 8mm)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

PM25LQ080-BWE 采用先进的浮动门技术,具备出色的耐用性和数据保持能力,可支持多达10万次的擦写操作,并确保数据在断电情况下保持至少20年。该芯片支持多种读写模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI,以提高数据传输效率。此外,PM25LQ080-BWE 还具备高度的抗干扰能力和低功耗设计,适用于电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。
  该芯片还内置了多种保护机制,如硬件写保护、软件写保护和状态寄存器保护,以防止数据被意外修改。同时,PM25LQ080-BWE 支持多种擦除操作,包括扇区擦除、块擦除和全片擦除,提供灵活的数据管理方式。

应用

PM25LQ080-BWE 主要应用于需要高可靠性和低功耗的嵌入式系统,如智能穿戴设备、物联网设备、工业控制设备、医疗仪器、无线通信模块等。由于其小巧的封装尺寸和高性能的接口设计,该芯片也常用于需要外部存储代码或数据的微控制器系统。

替代型号

GD25Q80BSIG, MX25R8035FZNI-12G

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