类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：15A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：60A
　　导通电阻(RDS(on))：6.0mΩ @ VGS=10V, ID=7.5A
　　导通电阻(RDS(on))：8.0mΩ @ VGS=4.5V, ID=7.5A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：1900pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：600pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

PM15CEE060具备出色的电气特性和热管理能力，其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为6.0mΩ，显著降低了在大电流条件下的功率损耗。这一特性对于提升电源转换效率至关重要，尤其是在电池供电设备中，能够延长续航时间。同时，在VGS=4.5V时RDS(on)为8.0mΩ，表明该器件也能在较低栅极驱动电压下有效工作，兼容3.3V或5V逻辑电平控制电路，增强了系统的灵活性。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术和薄晶圆工艺，实现了更高的单位面积导电性能，同时有效抑制了米勒效应，减少了开关过程中的振荡风险。输入电容Ciss为1900pF，输出电容Coss为600pF，在同类产品中处于较低水平，有助于降低驱动损耗并提高开关频率上限。此外，其反向恢复时间trr仅为25ns，配合体二极管的快速响应能力，可在同步整流等应用中减少反向恢复电荷带来的能量损失，进一步提升效率。
　　热性能方面，PowerFLAT 5x6封装具有较大的裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至底层，实现高效散热。该封装还具有较小的外形尺寸（5mm x 6mm），非常适合高密度布局的印刷电路板设计。器件的最大工作结温可达+150°C，并具备良好的热循环可靠性，确保在恶劣环境条件下长期稳定运行。此外，PM15CEE060通过了AEC-Q101车规级认证，可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动座椅驱动和LED照明模块等。
　　在安全性和可靠性方面，该器件具有较强的雪崩耐量，能够在突发过压或感性负载切断时承受一定的能量冲击而不损坏。内置的静电放电（ESD）保护结构也提高了器件在装配和使用过程中的抗干扰能力。综合来看，PM15CEE060凭借其低RDS(on)、高速开关能力、优良热性能和高可靠性，成为中功率开关应用中的优选方案。

PM15CEE060广泛应用于各类中等功率电源管理系统中，尤其适用于对效率和空间有严格要求的场合。常见应用包括同步降压转换器（Buck Converter），作为上下桥臂开关管使用，可实现高效的DC-DC电压变换，广泛用于服务器电源、笔记本电脑适配器和通信设备供电模块。在电机驱动领域，该MOSFET可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和低功耗控制，适用于无人机、机器人和家用电器等设备。
　　此外，PM15CEE060也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，因其低导通电阻可减少发热，提高系统安全性。在便携式电子产品如平板电脑、移动电源和智能穿戴设备中，该器件有助于构建小型化、高能效的电源架构。由于其符合汽车电子标准，因此也被广泛应用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统的电源部分。
　　在LED驱动电源中，PM15CEE060可用作恒流调节开关，实现精准亮度控制和高效能量转换。同时，它也可用于热插拔控制器、负载开关和OR-ing二极管替代电路中，发挥其低损耗和快速响应的优势。总体而言，该器件适用于任何需要高效率、小体积和高可靠性的N沟道MOSFET的应用场景。

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　　 "PSMN060-60YLC",
　　 "FDS6680A",
　　 "IRLHS6296",
　　 "SQJQ160EP-T1-GE3"
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