PM150DHA120是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率半导体模块,属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块系列。该模块专为高效率、高可靠性的工业电力电子应用设计,广泛应用于大功率变频器、伺服驱动系统、不间断电源(UPS)、风力发电逆变器以及工业加热设备等场景。PM150DHA120采用第六代IGBT芯片技术,具备低导通压降和优化的开关特性,能够在高温、高电压和大电流环境下稳定运行。该模块为双单元结构(Two-Level Module),内部集成了两个独立的IGBT单元,每个单元包含一个IGBT芯片和一个反并联快速恢复二极管,适用于半桥或全桥拓扑结构。模块封装采用高强度陶瓷基板和压接式端子设计,具有优异的热循环耐久性和机械稳定性。其额定电压为1200V,额定电流为150A,适合在恶劣工业环境中长期运行。此外,该模块支持直接水冷或风冷散热方式,便于系统集成与热管理设计。
型号:PM150DHA120
制造商:Fuji Electric
器件类型:IGBT模块
集电极-发射极额定电压(Vces):1200V
集电极额定电流(Ic)@25°C:150A
集电极峰值电流(Icp):300A
最大结温(Tj):150°C
栅极-发射极电压范围(Vge):-20V ~ +20V
饱和导通电压(Vce(sat))@Ic=150A, Vge=15V:约1.75V
二极管正向电压(Vf)@If=75A:约1.6V
开关频率典型值:≤20kHz
隔离电压(Viso):2500VAC/分钟
封装形式:四代增强型模块封装
冷却方式:底板式安装,可配合散热器使用
PM150DHA120 IGBT模块具备多项先进技术和性能优势,使其在高功率电力变换领域表现出色。首先,该模块采用了富士电机第六代IGBT芯片工艺,显著降低了导通损耗和开关损耗,提升了整体能效。其Vce(sat)在额定工作条件下保持较低水平,有助于减少发热,提高系统效率。同时,优化的芯片布局和载流路径设计有效降低了寄生电感,增强了模块在高频开关下的抗干扰能力。
其次,该模块内置的快速恢复二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和软恢复特性,能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),保护IGBT免受过压冲击,延长使用寿命。这种设计特别适用于电机驱动和逆变电源中频繁启停的应用场景。
再者,PM150DHA120采用高性能陶瓷绝缘基板(如Al2O3或AlN),具备优良的导热性和电气隔离性能。结合铜基底板结构,实现了高效的热量传导,确保模块在长时间高负载运行下仍能维持稳定的结温。模块外壳密封性好,防潮、防尘能力强,可在湿度高、粉尘多的工业环境中可靠运行。
此外,该模块支持模块化并联使用,便于构建更大功率的变流系统。其标准化的引脚布局和安装尺寸符合行业通用规范,兼容主流驱动电路设计,简化了系统集成过程。所有内部连接均采用先进的焊接或烧结工艺,确保电气连接牢固,抗热疲劳性能优异。综合来看,PM150DHA120是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的工业级IGBT模块,适用于对系统稳定性要求极高的应用场景。
PM150DHA120广泛应用于各类工业电力电子设备中。在交流变频驱动领域,它常用于中高压电机控制系统,如大型风机、水泵、压缩机和输送带系统的调速控制,实现节能运行和精确的速度调节。在伺服驱动系统中,该模块因其快速响应能力和良好的动态性能,被用于高精度数控机床、机器人关节驱动和自动化生产线。
在可再生能源系统方面,PM150DHA120可用于光伏逆变器和风力发电变流器的主功率回路,将直流电高效转换为并网交流电,满足电网接入标准。其高耐压和大电流承载能力使其适应太阳能电站和风电场中的复杂工况。
此外,在不间断电源(UPS)系统中,该模块作为DC-AC逆变桥臂的核心元件,能够在市电中断时迅速切换至电池供电模式,保障关键设备持续运行。在感应加热设备如中频炉、电磁炉和金属熔炼装置中,PM150DHA120也发挥着重要作用,通过高频斩波实现能量的高效传输与控制。
其他应用还包括电焊机电源、电动汽车充电站、轨道交通牵引变流器辅助电源以及大功率直流电源系统。由于其出色的热稳定性和长期可靠性,PM150DHA120特别适合需要7x24小时连续运行的工业设施,是现代智能制造和绿色能源系统中不可或缺的关键元器件。
2MBI150U4B-120
FF150R12KS4
CM150DY-12A