PM111Z/883C 时间：2025/5/12 20:36:38 阅读：5

PM111Z/883C 是一种高性能的功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够显著提升系统效率并降低能耗。
　　该芯片的主要特点包括出色的电流处理能力、低栅极电荷以及优化的封装设计，使其能够在各种复杂的工作条件下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：110A
　　导通电阻：1.4mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：D2PAK

特性

PM111Z/883C 的主要特性如下：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
　　2. 高额定电流能力，适合需要大电流输出的应用场景。
　　3. 快速开关性能，有效降低开关损耗。
　　4. 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。
　　5. 封装设计紧凑且坚固，便于散热和安装。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。

应用

PM111Z/883C 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
　　2. 汽车电子系统中的负载切换和电机控制。
　　3. 工业自动化设备中的功率调节和保护电路。
　　4. 大功率 LED 驱动器中的电流控制。
　　5. 各种逆变器和变频器中的核心功率元件。
　　6. 其他需要高效功率转换和大电流处理能力的场合。