型号：PM100RSA060
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：OptiMOS?
　　器件类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：4500pF（典型值，VDS=30V）
　　输出电容（Coss）：1200pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：25ns（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DirectFET? Power Module
　　安装方式：表面贴装（SMD）

PM100RSA060采用了Infineon先进的沟槽栅极硅技术，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的乘积（RDS(on) × Qg），实现了优异的开关效率和功率密度。其超低的1.8mΩ导通电阻大幅减少了在大电流应用中的导通损耗，使得电源系统能够实现更高的能效等级，尤其适合用于追求节能和小型化的高端电源设计。
　　该器件具有非常低的寄生电感和高电流承载能力，能够在高频开关条件下保持稳定的性能表现。由于其对称的双面散热设计和DirectFET?封装结构，PM100RSA060具备出色的热管理能力，热量可以从顶部和底部同时散发，有效降低热阻，提升长期运行的可靠性。这种封装形式还减小了PCB占位面积，提高了功率密度。
　　PM100RSA060的栅极驱动需求较低，兼容常见的驱动电路，且具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。器件内部多个芯片并联的设计不仅提升了电流处理能力，也改善了电流分配均匀性，避免局部过热问题。
　　此外，该MOSFET模块经过严格的质量控制流程生产，具备高度一致性的电气参数和长期稳定性，适合自动化贴片生产工艺。其符合工业级和通信电源领域的安全与可靠性要求，能够在高温、高湿、振动等恶劣环境中稳定工作，适用于数据中心、5G基站、UPS不间断电源及电动汽车充电设施等多种应用场景。

PM100RSA060主要应用于需要高效率和高功率密度的直流电源系统中。它广泛用于服务器和工作站的VRM（电压调节模块）设计，能够满足现代多核处理器对动态负载响应和低电压大电流供电的需求。在电信整流器和48V转12V中间总线转换器（IBC）中，该器件凭借其低导通损耗和快速开关特性，显著提升了转换效率，降低了系统温升。
　　在工业电源领域，PM100RSA060常被用于高功率DC-DC变换器、焊接设备电源和电机驱动器的功率级电路中，支持硬开关和软开关拓扑结构，如相移全桥、LLC谐振变换器和同步整流电路。其优异的热性能使其在封闭式机柜或自然冷却环境中也能可靠运行。
　　此外，该器件还可用于太阳能微逆变器、储能系统中的双向DC-DC转换器以及电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分。在这些应用中，PM100RSA060不仅能提供高效的能量转换，还能通过减少外围元件数量来简化系统设计，降低整体成本。
　　由于其高可靠性和符合环保标准的特点，PM100RSA060也被广泛应用于医疗电源、测试测量仪器和高端消费类电子产品中，特别是在对电磁干扰敏感的应用场景下，其低噪声特性和稳定的开关行为表现出色。

BSC100N06LS5
　　IRF100P06PBF
　　IPB019N06N