时间：2025/9/19 19:27:53
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PM-T53B是一款由Power Integrations公司生产的高度集成的单片电源控制器芯片，专为离线式开关电源（SMPS）设计，尤其适用于低功率、高效率的AC-DC转换应用。该芯片集成了高压功率MOSFET和先进的控制电路，采用其特有的多模式准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，能够在宽负载范围内实现高能效和低待机功耗。PM-T53B广泛应用于手机充电器、适配器、智能家居设备电源、物联网（IoT）设备电源等需要紧凑尺寸和高可靠性的场合。
该芯片内置了完整的保护功能，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）以及自动恢复机制，提升了系统的安全性和可靠性。此外，PM-T53B符合国际能效标准，如能源之星（Energy Star）和欧盟CoC Tier 2规范，适合用于追求绿色节能的产品设计中。
工作电压范围：8.9 V 至 20 V
启动电流：典型值 4.8 μA
最大漏源击穿电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：典型值 1.5 A
开关频率：30 kHz 至 132 kHz
反馈输入类型：光耦反馈（FB引脚）
封装形式：DIP-8 或 SMD-8
控制模式：准谐振反激式
集成MOSFET导通电阻（Rds(on)）：典型值 8.5 Ω
待机功耗：< 30 mW（满足六级能效）
PM-T53B采用先进的多模式准谐振控制架构，能够根据负载条件智能切换工作模式，包括QR模式、CCM/DCM边界模式和突发模式（Burst Mode），从而在全负载范围内实现最优效率。在重载或中等负载条件下，芯片工作于准谐振模式，利用谷底开关（Valley Switching）技术，在MOSFET两端电压最低时导通，显著降低开关损耗，提高整体转换效率，并减少电磁干扰（EMI）。
在轻载或空载情况下，系统自动进入突发模式，仅在输出电压低于设定阈值时才进行短时间开关操作，其余时间芯片处于休眠状态，极大降低了静态功耗，使得待机功耗可控制在30mW以下，满足全球最严格的能效标准。这种智能调制策略不仅提升了能源利用率，也减少了散热需求，有利于小型化设计。
芯片内部集成了一个高压电流源，可在上电时直接从漏极引脚获取能量，无需外部启动电阻，简化了外围电路设计并节省了PCB空间。同时，其内置的误差放大器与精密参考电压源配合外部光耦构成闭环反馈，确保输出电压的高精度调节。保护机制方面，具备逐周期电流限制、过温折返、输出短路及开环保护等功能，所有故障均支持自动恢复，增强了系统的鲁棒性与用户体验。
此外，PM-T53B具有优异的噪声抑制能力，前端采用前沿消隐技术防止因尖峰电流引起的误触发；软启动功能则有效抑制开机浪涌电流，保护功率器件。整体设计无需次级侧复杂检测电路，即可实现精确的恒压（CV）输出调节，适用于无Y电容（Y-capless）结构的隔离电源方案，进一步提升系统安全性与可靠性。
PM-T53B主要用于小功率隔离型开关电源设计，典型应用场景包括手机充电器、USB电源适配器、智能家居网关与传感器供电、无线路由器辅助电源、工业控制板载电源、LED照明驱动电源、白色家电辅助电源模块等。由于其高集成度与出色的能效表现，特别适合对体积、成本和能耗有严格要求的消费类电子产品。此外，也可用于需要符合安规认证（如UL、CE、CB等）的国际出口产品中，作为核心控制IC使用。
INN3366C, INN3266C, TOP268EG
