时间：2025/4/27 13:38:00
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PM-8953-0-187FOWNSP-TR是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理和功率转换场景。
这款MOSFET芯片具有出色的热性能和电气稳定性，能够有效降低系统功耗并提高效率。它支持表面贴装封装，便于自动化生产和集成到紧凑型设计中。
型号：PM-8953-0-187FOWNSP-TR
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：42A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
总栅极电荷(Qg)：68nC
输入电容(Ciss)：2950pF
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-Leadless (WSON)
PM-8953-0-187FOWNSP-TR的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻(1.8mΩ)，可显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用，例如DC-DC转换器和PWM控制器。
3. 高电流处理能力(高达42A)，使其适用于大功率电路。
4. 出色的热性能和耐用性，能够在极端温度条件下稳定运行(-55°C至+175°C)。
5. 表面贴装封装(WSON)，简化了PCB布局和生产流程。
6. 具备高可靠性和长寿命，适用于严苛的工作环境。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. DC-DC转换器和降压/升压模块。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
5. 工业设备中的功率转换和负载控制。
6. 汽车电子中的各类功率管理任务。
PM-8953-0-187FOWNSP-TR-A, IRF840, FDP5500
