PM-8926-0-172WLNSP-TR-08-1是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够在高频工作条件下保持高效运行。
型号:PM-8926-0-172WLNSP-TR-08-1
封装形式:WLNSP
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):1.7mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
反向恢复时间(trr):10ns
工作温度范围:-55℃ to +175℃
PM-8926-0-172WLNSP-TR-08-1具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低导通损耗。
2. 高效的开关性能,适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性,能够承受较高的结温。
4. 具备过流保护功能,增强系统的可靠性。
5. 小型化封装设计,有助于节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
7. 提供优异的抗电磁干扰能力,确保系统稳定运行。
这款功率MOSFET芯片适用于多种工业及消费类电子设备中:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
2. 各种类型的电机驱动电路,如步进电机和无刷直流电机。
3. 高效DC-DC转换器设计,支持升压、降压以及升降压拓扑。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力转换系统。
5. 工业自动化控制中的负载切换与保护电路。
6. 汽车电子系统中的电源管理模块。
IRF840, SI4885DY, FDP5500