PLS100N 时间：2025/10/6 13:37:16 阅读：8

PLS100N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，具备低导通电阻、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适合在高频率和高功率密度的电路中使用。PLS100N的设计目标是为DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）、电机驱动以及负载开关等应用提供高效、可靠的解决方案。其封装形式通常为PowerFLAT或DPAK等小型化封装，有助于提升PCB布局的灵活性并改善散热性能。由于其优化的工艺结构，PLS100N能够在高温环境下稳定工作，并具有较强的抗雪崩能力和dv/dt能力，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品的设计需求。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　连续漏极电流（Id）：80 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：320 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：max 8.5 mΩ @ Vgs = 10 V
　　导通电阻Rds(on)：max 11 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 4000 pF
　　输出电容（Coss）：约 900 pF
　　反向恢复时间（trr）：约 40 ns
　　最大功耗（Ptot）：约 250 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 或 DPAK

特性

PLS100N的核心优势在于其极低的导通电阻与出色的开关特性之间的平衡，使其在高电流应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗。其Rds(on)在Vgs=10V时典型值仅为8.5mΩ，这意味着在大电流条件下仍能保持较低的温升，从而提高整体能效。器件采用了ST先进的SuperFET技术，通过优化的沟道设计和场截止层结构，实现了更低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），从而减少了驱动损耗并加快了开关速度，特别适合高频PWM控制场景。
　　该MOSFET还具备优异的热性能，得益于其封装设计中的低热阻（Rth(j-c)），热量可以快速从芯片传递到散热器或PCB上，确保长时间运行的可靠性。同时，PLS100N具有较高的雪崩能量承受能力，能够在突发过压或感性负载关断时保护自身不受损坏，增强了系统的安全性和耐用性。其栅极氧化层经过严格测试，可承受±20V的栅源电压，提高了对误操作或噪声干扰的容忍度。
　　另外，PLS100N的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约40ns），这在同步整流或桥式电路中尤为重要，可以有效减少反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。器件在整个工作温度范围内表现出稳定的电气参数变化，特别是在高温下Rds(on)的增长较为平缓，避免了因温升导致的恶性循环。综合来看，PLS100N是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率和空间有严苛要求的应用场合。

应用

PLS100N常用于多种高效率电力电子系统中。典型应用场景包括服务器和通信设备中的大电流DC-DC降压变换器，作为上桥或下桥开关使用；在笔记本电脑、台式机主板的VRM（电压调节模块）中实现多相供电方案，以满足CPU/GPU的动态负载需求。它也适用于工业电源、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机中的电机驱动电路，利用其低导通损耗来延长续航时间和提升响应速度。
　　在太阳能逆变器和电动汽车车载充电机（OBC）等新能源领域，PLS100N可用于直流母线开关或辅助电源模块，凭借其高耐压和强电流处理能力保障系统稳定运行。此外，在热插拔控制器和负载开关电路中，该器件能够快速接通或切断负载电流，防止浪涌电流冲击后级电路。由于其优良的瞬态响应能力和抗干扰性能，PLS100N也被广泛用于高端LED驱动电源、UPS不间断电源以及医疗电子设备的电源部分。总之，任何需要高效、紧凑且可靠的100V N沟道MOSFET的场合，都是PLS100N的理想选择。