类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VCEO）：35 V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：300 mV（典型值）
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%（测试条件：IF = 5 mA, VCE = 5 V）
　　上升时间（tr）：3 μs
　　下降时间（tf）：3 μs
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装类型：DIP-4（双列直插4引脚）
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）

PLIP-09V-S光电耦合器的核心优势在于其优异的电气隔离能力和稳定的信号传输性能。该器件内部由砷化镓（GaAs）红外LED与硅基NPN光电晶体管组成，当输入端LED通电发光时，光线照射到光电晶体管基区，产生光电流并控制输出端导通状态，从而实现“电—光—电”的信号转换过程。这种结构确保了输入与输出之间没有直接电气连接，提供了高达5000 Vrms的隔离电压，能够有效抵御高压瞬变、雷击感应及共模噪声干扰，保障系统的安全性和稳定性。
　　该光耦具有较高的电流传输比（CTR），典型值范围为50%至600%，这意味着在较小的输入驱动电流（如5mA）下即可获得足够的输出电流驱动能力，适用于低功耗控制系统，例如由MCU GPIO直接驱动的应用场景。同时，其较低的集电极-发射极饱和电压（典型300mV）有助于减少功耗和发热，提升整体能效。
　　PLIP-09V-S具备快速的响应时间，上升和下降时间均为3μs，在同类通用光耦中表现良好，适合中速数字信号隔离应用，如UART通信隔离、脉冲信号传递等。此外，器件的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，适应恶劣工业环境下的长期运行需求。DIP-4封装便于手工焊接和自动化生产，且引脚间距符合标准PCB布局要求，兼容性强。
　　该产品符合RoHS环保标准，无铅设计，支持绿色制造。其高可靠性经过AEC-Q101等严苛测试认证，适用于对寿命和稳定性有较高要求的工业设备、医疗仪器和电力电子系统。综合来看，PLIP-09V-S是一款性价比高、应用广泛的通用型光耦器件。

PLIP-09V-S广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈控制回路，用于将次级侧的电压采样信号安全地传递至初级侧PWM控制器，避免高压侧对控制芯片造成损害；在工业PLC输入/输出模块中，作为现场传感器信号与内部逻辑电路之间的隔离接口，提高抗干扰能力；还可用于微处理器系统的I/O扩展隔离，防止外部负载突变影响主控单元正常运行。
　　在通信领域，该光耦可用于RS-232、RS-485等串行接口的电平隔离，增强系统的电磁兼容性（EMC）性能；在电机驱动和逆变器控制中，作为栅极驱动信号的隔离元件，确保功率级与控制级之间的安全隔离；此外，也常见于医疗设备、测试仪器和楼宇自动化系统中，用以满足安规认证对绝缘距离和漏电流的严格要求。