电容：1800pF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V DC
　　介电材料：X7R
　　温度特性：-55°C 至 +125°C
　　电容变化率：±15%以内（随温度）
　　封装尺寸：0201（0603 公制）
　　长度：0.6mm ±0.05mm
　　宽度：0.3mm ±0.05mm
　　高度：0.33mm 最大
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R×C ≥ 100S
　　耐压：1.5倍额定电压，持续5秒
　　ESR：低等效串联电阻（具体值依频率而定）
　　谐振频率：典型值约1.2GHz（根据电容与封装）

PLG0J182MDO1所采用的X7R介电材料赋予其优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的变化控制在±15%以内，这使其特别适用于对电容稳定性要求较高的中等精度模拟电路和电源管理模块。相较于Z5U或Y5V等介电类型，X7R在温度漂移方面的表现更为出色，虽然其介电常数低于高K材料，但平衡了稳定性与体积效率，适合用于去耦和滤波应用。
　　该器件为多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内电极实现高电容密度，同时保持小型化封装。0201尺寸（0603公制）使其成为当前主流微型化电子产品中的关键元件，尤其在高密度PCB布局中能显著节省空间。随着便携式设备向更轻薄方向发展，此类小尺寸MLCC的需求持续增长。
　　PLG0J182MDO1具备良好的高频响应特性，其自谐振频率较高（典型值可达1.2GHz左右），因此在高频去耦应用中效果显著，能有效滤除开关电源产生的高频噪声，保障敏感模拟电路或高速数字电路的正常运行。
　　该电容器采用镍/锡外电极结构，具有优良的可焊性和抗热冲击能力，支持无铅回流焊工艺，符合现代绿色制造的要求。同时，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性进一步提升了其在瞬态响应和噪声抑制方面的能力。
　　在可靠性方面，KEMET对PLG0J182MDO1执行严格的质量控制流程，包括高温寿命测试、温度循环测试和湿度敏感度等级（MSL1）评估，确保其在恶劣环境下的长期稳定运行。此外，该器件还具备较强的抗机械应力能力，减少因PCB弯曲或振动导致的裂纹风险。

PLG0J182MDO1因其小尺寸、稳定性和高频性能，广泛应用于多种电子系统中。在移动通信设备如智能手机和平板电脑中，常用于射频模块、基带处理器和电源管理单元的去耦电容，用以滤除高频噪声并稳定供电电压，从而提高信号完整性和系统能效。
　　在便携式消费类电子产品如智能手表、无线耳机和健康监测设备中，该电容器被大量使用于DC-DC转换器输出端，作为滤波元件以平滑输出电压波动，同时因其微型封装有助于实现紧凑型设计。
　　在计算机和服务器领域，尽管更高容量的电容用于主电源去耦，但PLG0J182MDO1仍可用于低功率逻辑电路、内存模块或接口电路的局部去耦，确保高速信号传输的稳定性。
　　工业控制和汽车电子中，虽然工作环境更为严苛，但在非动力域的辅助电子模块（如车载信息娱乐系统、传感器信号调理电路）中，该型号也能发挥其温度稳定性和可靠性的优势。
　　此外，在医疗电子设备、物联网终端节点以及无线传感网络中，PLG0J182MDO1凭借其低功耗兼容性、高可靠性和小体积特点，成为众多设计师的首选电容之一。其通用性强，适用于大多数需要中等精度、小容量陶瓷电容的场景，特别是在空间受限且需兼顾电气性能的设计中表现突出。

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　　 "GRM155R71A182MA01D",
　　 "CL05A182MJDNNSNC",
　　 "C0603X7R1A182M50T",
　　 "LC0603X7R1A182M",
　　 "CC0603X7R1A182M"
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