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PL90N06 发布时间 时间:2025/5/9 9:00:07 查看 阅读:30

PL90N06是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率开关、电机驱动和电源管理等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而能够有效降低功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:90A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:55nC
  总电容:1750pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

PL90N06的主要特点是其大电流处理能力和低导通电阻。这使得它非常适合需要高效率和低损耗的应用环境。此外,其高开关速度可以减少开关损耗,并且具备良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  该器件还具备反向恢复电荷小的特点,有助于进一步优化电路性能。同时,它的封装形式通常为TO-220或TO-247,便于散热设计和安装。

应用

PL90N06适用于多种工业和消费类电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源中的功率开关
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动
  3. 负载切换和保护电路
  4. 电池管理系统中的充放电控制
  5. 汽车电子中的负载驱动与控制
  由于其高性能表现,这款MOSFET在需要高效能和高可靠性的地方非常受欢迎。

替代型号

IRLB8748PBF, STP90NF06, FDP096N6Z

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