时间：2025/5/9 12:05:02
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PL30N10是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关和低导通电阻的应用场景。这款器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而提高了效率并降低了功耗。
PL30N10的主要特点包括其出色的热性能、高击穿电压以及快速开关特性。这些特点使得它在各种工业和消费类电子应用中表现出色。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ (典型值，在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：190W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
栅极电荷(Qg)：68nC (典型值)
输入电容(Ciss)：1640pF (典型值)
反向恢复时间(trr)：43ns (典型值)
PL30N10具有较低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提高整体系统效率。同时，该器件具备快速开关能力，有助于降低开关损耗。此外，它还拥有较高的电流密度和优良的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。
此器件采用TO-220封装形式，便于散热设计，并且支持表面贴装和通孔安装方式，适应不同的PCB布局需求。PL30N10的设计符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
PL30N10适用于多种电力电子应用领域，例如开关模式电源(SMPS)中的功率转换级、逆变器、电池充电器、LED驱动器以及电动工具等设备的电机控制电路。
此外，它也可用于负载切换、续流二极管替代方案及各类工业自动化系统的功率管理部分。凭借其优异的电气特性和机械可靠性，PL30N10成为众多设计工程师的理想选择。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP30N10S
