时间：2025/9/3 19:52:59
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PL13Z 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中高功率的电源管理和电机控制应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效、高可靠性的开关电路。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：13A（在 Tc=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：52A
导通电阻（Rds(on)）：0.085Ω（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：80W（在 Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PL13Z 的核心特性在于其低导通电阻和高电流承载能力，这使得它能够在高频开关应用中保持较低的导通损耗，从而提高整体效率。该器件采用 D2PAK（TO-263）封装形式，具有良好的散热能力，适合在高温环境下运行。此外，PL13Z 还具备较高的抗雪崩能力和良好的热稳定性，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够兼容多种控制电路设计。其快速开关特性降低了开关损耗，适用于 DC-DC 转换器、马达驱动器、负载开关和电源管理系统等应用场景。
PL13Z 的封装设计也增强了其在 PCB 上的稳固性，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。
PL13Z 常用于各种电源管理设备中，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制器以及电池管理系统（BMS）。它也适用于工业自动化设备、电动工具、电动车驱动系统和智能家电等对功率效率和稳定性有较高要求的应用领域。
IRF1405, FDP13N10, STP13NK10Z
