时间：2025/4/28 10:10:46
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PL13N06P是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于开关和功率管理应用，能够提供高效率和低导通电阻的性能。PL13N06P具有较低的导通电阻，使其在高频开关应用中表现优异，同时其封装形式紧凑，适合需要节省空间的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：27nC
开关时间：典型值ton=19ns，toff=84ns
工作温度范围：-55°C to +150°C
PL13N06P具备低导通电阻的特点，有助于减少传导损耗，提高整体系统效率。
其高电流处理能力使其适用于多种功率转换场景。
该器件还具有快速开关速度，适合高频应用环境。
此外，PL13N06P采用了先进的制造工艺，确保了良好的稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
它支持表面贴装技术（SMD），简化了PCB布局设计，并增强了散热性能。
PL13N06P广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、逆变器、电池保护电路等领域。
由于其高电流承载能力和低导通电阻，非常适合用于消费类电子产品中的电源管理系统。
同时，在工业领域，这款MOSFET也可用作各种功率控制和保护电路的核心元件。
IRLZ44N
AO3400
FDP16N06L
