时间：2025/7/8 17:38:05
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PL10N10D3是一款基于硅材料制造的MOSFET功率晶体管，采用TO-252封装形式。它属于N沟道增强型MOSFET，适用于中低电压和中等电流的应用场景。这款器件以其低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能而著称，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换等领域。
该器件在设计时注重效率和可靠性，适合需要高效能和紧凑设计的电路应用。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：0.1Ω（典型值，Vgs=10V）
功耗(Pd)：14W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252
PL10N10D3具有低导通电阻特性，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
其高开关速度可以满足高频应用的需求，同时具备较强的抗雪崩能力，增强了器件的鲁棒性。
由于采用了先进的制造工艺，该器件在高温工作条件下仍能保持稳定性能。
此外，PL10N10D3的静态和动态参数一致性好，有助于简化电路设计并提高批量生产的良品率。
其封装形式紧凑，便于PCB布局优化，同时提供良好的散热性能。
PL10N10D3主要应用于直流-直流转换器、开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)、电机控制电路以及各类负载切换电路。
在消费电子领域，它可用于充电器、适配器和家用电器的电源部分。
工业应用方面，这款MOSFET适合用作固态继电器、逆变器和不间断电源(UPS)的核心元件。
汽车电子领域中，PL10N10D3也可用于车载电子设备的功率管理模块。
IRLZ44N
STP10NK60Z
FDP12N10
AO10N10
