类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大漏极电流(Id)：60A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：约3.5mΩ（典型值）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　技术：沟槽栅极MOSFET

PKE30BB 具备多项优良特性，使其在高功率密度和高效率电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在60A的大电流条件下，该器件仍能保持较低的压降，减少发热，提高整体可靠性。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，使得器件在高频开关应用中表现出色，具有快速的开关速度和较低的开关损耗。这对于高频率DC-DC转换器和电机控制应用尤为重要。
　　此外，PKE30BB 采用PowerFLAT 5x6封装，具备优异的热管理性能，可直接焊接在PCB上，提高散热效率并减少对外部散热片的依赖。该封装还具备较小的尺寸，有助于节省PCB空间，适用于空间受限的设计。
　　该器件的工作温度范围宽，从-55°C到175°C，确保其在恶劣环境条件下依然稳定运行。这一特性使其非常适合工业控制、汽车电子和高可靠性系统中的应用。
　　同时，PKE30BB 具备较高的短路耐受能力，增强了其在异常工况下的鲁棒性。其栅极氧化层设计优化，确保了在高电压应力下的稳定性和寿命。

PKE30BB 被广泛应用于多种高功率密度和高效率电源管理系统中。在DC-DC转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率同步整流器的理想选择，尤其适用于多相位转换器和VRM（电压调节模块）设计。
　　在电机控制领域，PKE30BB 适用于无刷直流电机驱动器、电动工具和电动车控制系统，其高电流承载能力和优异的热稳定性确保了电机在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，该MOSFET也常用于电池管理系统（BMS），例如在储能系统和电动交通工具中，作为高边或低边开关使用，实现对电池充放电过程的高效控制。
　　消费类电子产品方面，PKE30BB 可用于高性能电源适配器、笔记本电脑充电器和大功率LED驱动器，帮助实现更小体积和更高效率的设计。

PKE30BB的替代型号包括STL30N3LLH5、IPD30N03S4-03、FDMS7680、IRF3710、Si4410DY