时间：2025/8/30 4:32:45
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PK10-080P-R-DA是一款广泛用于电源管理和功率控制应用的功率MOSFET模块。该器件采用先进的封装技术，具有优良的热管理和电气性能，适用于需要高效、高可靠性的系统设计。该模块通常用于工业电源、电动工具、汽车电子和电机控制等应用。
类型：功率MOSFET模块
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值）
封装形式：双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极驱动电压：10V
最大功耗：300W
短路耐受能力：具备
封装材料：符合RoHS标准
PK10-080P-R-DA模块采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其8mΩ的Rds(on)使其在高电流应用中依然保持较低的功率损耗。该器件具有良好的热传导性能，能够有效将热量传导至散热片，从而保证长时间工作的稳定性。
此外，该模块内部集成了多个MOSFET管芯，并联设计以支持高达80A的连续漏极电流，适用于高功率密度应用。它还具备较强的短路和过热保护能力，能够在恶劣环境下稳定运行。
在封装方面，PK10-080P-R-DA采用紧凑型封装，节省PCB空间，同时提供了良好的机械强度和电气隔离性能，适合在高振动环境中使用。该器件还支持快速开关操作，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。
该模块广泛应用于多种高功率电子系统中，如电动工具、无刷直流电机驱动、电源转换器（DC-DC、AC-DC）、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及新能源汽车中的功率控制单元。此外，它也适用于UPS（不间断电源）、逆变器、焊接设备和高频开关电源等场景。
IXYS IXFN80N10T、Infineon BSC080N10NS5、STMicroelectronics STP80NF10、ON Semiconductor FDP80N10
