PJZ6NA90 时间：2025/8/14 21:41:07 阅读：10

PJZ6NA90是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET的N沟道类型。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。PJZ6NA90采用了先进的沟槽式（Trench）技术，能够在低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度之间取得良好的平衡，从而减少功率损耗并提高系统效率。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：6A
　　最大漏-源电压（Vds）：30V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

PJZ6NA90具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为28mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其次，该MOSFET支持高达6A的连续漏极电流，适合中高功率应用场景。其30V的漏-源电压额定值允许在多种电压环境下稳定运行，具备良好的适应性。
　　PJZ6NA90采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在开关性能方面表现优异，能够实现快速开关，降低开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。此外，其±20V的栅-源电压耐受能力确保了在各种驱动条件下的可靠性，减少了因过电压而导致的损坏风险。
　　该器件采用SOP-8封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具备良好的热管理能力。SOP封装也支持表面贴装工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。工作温度范围从-55°C到+150°C，确保其在极端环境条件下仍能保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，PJZ6NA90还具备低栅极电荷（Qg）特性，进一步提升了其开关速度和效率，减少了驱动电路的负担，有助于简化外围驱动电路的设计。其具备良好的短路耐受能力和热稳定性，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。

应用

PJZ6NA90广泛应用于多个领域的电源管理系统中。其高效率和低导通电阻特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电源管理模块。在笔记本电脑、服务器和通信设备中，PJZ6NA90可用于高效能电源转换和电池管理系统。此外，在工业自动化设备和电机驱动器中，该MOSFET可用于高频率开关应用，提供稳定的功率输出。由于其优良的热性能和可靠性，该器件也常用于车载电子系统，如车载充电器和DC-DC变换器。