时间：2025/8/14 3:23:16
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PJX8838_R1_00001 是一款由PanJit（强茂）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能的功率转换和控制应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动以及负载开关等场景。作为一款N沟道增强型MOSFET，PJX8838_R1_00001能够在高频率下工作，提供稳定的电流控制性能，并具备良好的抗过载能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在TC=25°C）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
最大功耗（PD）：170W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
PJX8838_R1_00001 采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其高电流承载能力和低导通电阻特性使其非常适合用于高功率密度设计。
此外，该MOSFET具有优异的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，减少因温度升高导致的性能下降。它的TO-263封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和高效散热设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常在4.5V至20V之间），支持逻辑电平驱动，适用于多种控制器和驱动电路。同时，PJX8838_R1_00001具备较强的抗雪崩能力和过载保护能力，提高了器件在极端工况下的可靠性。
PJX8838_R1_00001 主要应用于高效电源转换系统中，例如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力，它也非常适合用于高效率的开关电源（SMPS）和负载开关控制。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、LED驱动器和电动工具等应用。此外，在工业自动化系统中，如伺服电机驱动器、电源管理模块和高功率LED照明系统中，PJX8838_R1_00001也能发挥出色的性能。
SiS8838, NexFET CSD88384M, IRF120N30D
