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PJX8804_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 3:47:59 查看 阅读:19

PJX8804_R1_00001是一款由Panjit公司生产的功率MOSFET,广泛应用于高功率电子设备和电源管理系统中。这款MOSFET具有优异的导通性能和低损耗特性,适合用于高效能转换电路。

参数

类型:功率MOSFET
  封装类型:TO-252
  漏极-源极电压(Vds):60V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):≤4.5mΩ
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

PJX8804_R1_00001 MOSFET具备低导通电阻,能够显著减少功率损耗并提高系统效率。此外,该器件的封装设计使其具有良好的散热性能,能够在高电流条件下稳定工作。其高栅极电压耐受能力(±20V)确保了在不同工作环境下的可靠性和稳定性。同时,该MOSFET的高耐压特性允许其在高电压应用中安全使用,例如DC-DC转换器和电机驱动器。该器件还具有快速开关速度,能够满足高频率操作的需求,从而减少开关损耗并提高整体系统性能。在热保护方面,该MOSFET能够在高温环境下保持稳定运行,从而延长设备的使用寿命。此外,其紧凑的TO-252封装节省了PCB空间,使得设计更加灵活。

应用

该器件常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备和汽车电子等应用领域。

替代型号

SiM6862, IRLB8721, FDS6680

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PJX8804_R1_00001参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.94208卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)600mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)220 毫欧 @ 600mA,4,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)93pF @ 15V
  • 功率 - 最大值300mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装SOT-563