时间：2025/8/14 7:07:20
阅读：23
PJW7N04_R2_00001是一款由PanJit（强茂）生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于多种电源管理及功率转换应用。该MOSFET具备低导通电阻、高效率和出色的热性能，适用于高要求的工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：75A
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
PJW7N04_R2_00001具有低导通电阻的特性，使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高整体效率。这种特性对于电源转换器、DC-DC变换器和负载开关等应用至关重要。
此外，该MOSFET采用了先进的沟道技术，以确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。其高栅极氧化层耐用性使其能够承受高达±20V的栅极-源极电压，为设计工程师提供了更大的灵活性。
在热性能方面，PJW7N04_R2_00001采用了TO-252封装，能够有效散热并保持稳定的运行温度。这使得该器件可以在高功耗环境下长时间工作，而不至于因过热而失效。
最后，该器件符合RoHS标准，支持环保生产流程，适用于现代电子设备的制造。
PJW7N04_R2_00001广泛应用于各种电源管理系统，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器以及电池管理系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效率电源转换的理想选择。
另外，该MOSFET也适用于马达驱动器、负载开关和逆变器系统。在这些应用中，它能够提供快速的开关响应和稳定的输出性能。
在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，PJW7N04_R2_00001可用于电源管理模块，以提高设备的能效和电池续航时间。
在工业自动化设备中，该器件可用于控制电机、传感器和其他高功率负载，确保系统的稳定运行。
Si7452DP,TNT7N04,R6004END
