时间：2025/8/14 9:53:16
阅读：16
PJW5N10-R2-00001 是一款由 Panjit（强茂）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET，常用于电源管理、开关电路和负载控制等应用。该器件采用先进的工艺制造，以确保高效能和高可靠性。
类型：N 沟道
漏极电流（ID）：5A
漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约 2.5Ω @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-223
功率耗散（PD）：1.25W
PJW5N10-R2-00001 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等特性。其导通电阻在 VGS = 10V 时约为 2.5Ω，确保在中等电流负载下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件的漏极-源极击穿电压为 100V，能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源管理与开关控制场景。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，确保其在不同的驱动条件下都能保持稳定运行。其 SOT-223 封装形式具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，广泛应用于小型化电源模块、工业控制电路以及消费类电子产品中。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐用性，能够在较宽的温度范围内（-55°C 至 150°C）正常工作，适应复杂的工作环境。
PJW5N10-R2-00001 常用于电源管理电路、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关控制、工业自动化设备、消费类电子产品中的马达驱动和LED驱动电路等。其高可靠性和良好的电气性能使其成为中等功率应用的理想选择。
2N7002, IRFZ44N, FQP5N10L
