时间：2025/8/14 4:44:09
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PJW3P06A-AU是一款由PanJit（强茂）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率开关应用中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了低导通电阻和高效率的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等多种电子设备。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
PJW3P06A-AU具备低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，提高系统的整体效率。其先进的沟槽式结构确保了良好的开关性能，减少了开关损耗，同时提升了热稳定性和可靠性。该MOSFET还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。
此外，PJW3P06A-AU采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能，适用于需要高效散热的高功率应用。其±20V的栅源电压耐受能力使其适用于多种驱动电路设计，能够适应更广泛的工作条件。该器件还具备优异的抗干扰能力和较长的使用寿命，适用于工业级和汽车电子系统。
PJW3P06A-AU常用于各类功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源管理模块以及工业自动化设备。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效电源转换应用的理想选择。在汽车电子系统中，它也可用于车载充电器、LED照明驱动电路和车载电源管理系统等场景。
SiR142DP-T1-GE3, IPP06R006N06KGATMA1
