类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：47W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

PJT7413具备多项优良特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V时典型Rds(on)仅为30mΩ，适合高频开关应用。
　　其次，PJT7413的最大漏极电流为12A，漏源电压为30V，使其适用于中等功率的DC-DC转换器和负载开关设计。此外，该器件的热阻较低，封装形式为TO-252（DPAK），有助于有效散热，提升器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准逻辑电平驱动，便于与多种控制器配合使用。同时，PJT7413具有良好的短路和过热保护能力，增强了系统的安全性和耐用性。
　　该MOSFET符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对无铅和环保材料的要求。

PJT7413广泛应用于多种电子设备和系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源管理**：如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源开关等，用于提高电源转换效率并减小系统尺寸。
　　2. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电控制、过流保护及负载切换等关键功能。
　　3. **电机驱动与控制**：适用于小型电机、风扇、泵等设备的驱动电路，提供高效的功率控制。
　　4. **工业自动化与控制系统**：作为开关元件用于PLC、继电器替代、传感器供电控制等场景。
　　5. **消费类电子产品**：如笔记本电脑、平板电脑、便携式充电设备等，用于高效能电源管理方案。
　　6. **汽车电子**：用于车载电源系统、LED照明控制、电动工具等需要高可靠性和高效能的应用。

SiSS130N10, AO4413, FDS6680, NTD12N10L