PJSD36TG 时间：2025/8/15 2:17:13 阅读：5

PJSD36TG 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用高密度沟槽式技术制造。这款晶体管适用于需要高效率和低导通电阻的应用，如电源管理、电池充电器和负载开关等。其封装形式为 DPAK（TO-252），便于在 PCB 上安装，并提供良好的散热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@ 25°C：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

PJSD36TG 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 4.5mΩ，使其适合用于高电流应用。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为 100A，在高温环境下也能保持稳定工作。
　　其高栅极电压耐受能力（±20V）使得该器件能够在更广泛的驱动条件下运行，同时避免因过高的栅极电压而导致的损坏。此外，该器件的封装设计（DPAK）具有良好的热性能，有助于在高负载条件下有效地散热，从而提高系统的可靠性。
　　该 MOSFET 还具备出色的耐用性和抗短路能力，适用于对稳定性和安全性要求较高的工业和汽车电子应用。其工作温度范围广泛（-55°C 至 +175°C），能够在极端环境条件下稳定运行。

应用

PJSD36TG 主要用于需要高效率、高电流承载能力和低导通损耗的电力电子系统。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电动车辆（EV）充电模块以及工业自动化设备中的负载开关控制。
　　由于其出色的热性能和大电流能力，该器件也常用于功率因数校正（PFC）电路和电机驱动器中。此外，在汽车电子领域，PJSD36TG 可用于车载充电器、起停系统和车身控制模块等应用。