时间：2025/5/12 8:43:47
阅读：10
PJSD36CW-AU_R1_000A1 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计，主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，能够在高频和高压环境下保持稳定的性能表现。
该芯片通过优化的沟槽式结构实现了更低的导通损耗和开关损耗，同时具备强大的浪涌电流承受能力，非常适合要求高可靠性的工业应用。
类型：N-Channel MOSFET
电压（Vds）：650 V
电流（Id）：36 A
导通电阻（Rds(on)）：45 mΩ
栅极电荷（Qg）：95 nC
总电容（Ciss）：2200 pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
PJSD36CW-AU_R1_000A1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗。
2. 快速开关速度，减少开关损耗并提高系统效率。
3. 高耐压能力，支持高达 650V 的漏源电压，适用于高压环境。
4. 强大的短路保护能力，提升系统可靠性。
5. 优化的热阻设计，确保在高温条件下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，适合多种工业应用场景。
PJSD36CW-AU_R1_000A1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 太阳能逆变器
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动
4. 工业自动化设备中的功率控制
5. LED 照明驱动电路
6. 电动汽车充电桩和电池管理系统（BMS）
IRFP460, STP36NF06L, FDP5800
