时间：2025/8/15 5:14:37
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PJSD24 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理与功率开关应用。这款器件设计用于在高电压和高电流条件下工作，提供优异的导通性能和低损耗特性，适用于诸如电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
漏极电流(Id)：连续12A
导通电阻(Rds(on))：0.175Ω @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
功耗(Pd)：80W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
PJSD24 具备出色的导通性能和热稳定性，能够适应高功率密度设计的需求。其低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备较高的栅极电压容限（±20V），能够更好地应对瞬态电压波动，提高可靠性。
该MOSFET采用耐用的硅技术制造，具有良好的抗过载和短路能力。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，适用于高功率应用场景。此外，PJSD24具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和能效。
在可靠性方面，该器件通过了工业级认证，能够在恶劣环境下稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于各种工业、汽车和消费类电子产品。
PJSD24 广泛应用于各类电力电子系统中，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备、电池管理系统、负载开关以及家用电器中的功率控制模块。此外，它也可用于新能源设备，如太阳能逆变器和电动车电源管理系统中，提供高效稳定的功率控制。
IRF150, FDPF12N20, STP12N20
