时间：2025/8/14 22:49:08
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PJSD15TM T/R 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于需要高电流和快速开关性能的电路。该器件采用 TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能和可靠性。T/R 表示该器件是以卷带（Tape and Reel）形式包装，适用于自动化装配。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：150 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：8 A
导通电阻（RDS(on)）：0.22 Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：40 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
PJSD15TM T/R 具有多个显著的电气和热性能特点，使其成为电源管理应用的理想选择。
首先，该器件的导通电阻（RDS(on)）非常低，典型值为 0.22 Ω，在 VGS=10V 的条件下，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它减少了热量的产生，从而提高了整体系统的可靠性。
其次，该器件的最大漏源电压为 150V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电源转换器、DC-DC 转换器和负载开关应用。此外，其最大连续漏极电流为 8A，能够支持较高的负载需求。
该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理能力。该封装形式不仅便于安装在 PCB 上，还具备优异的散热性能，有助于降低工作温度，延长器件寿命。
其栅极驱动电压范围为 ±20V，确保了与常见的 10V 或 12V 驱动电路兼容，同时也具备一定的过压保护能力。
此外，PJSD15TM T/R 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定工作，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。
PJSD15TM T/R 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以作为主开关元件，实现高效的能量转换；在 DC-DC 转换器中，用于调节电压和电流；在电池管理系统中，作为高侧或低侧开关控制充放电过程。
它还可用于电机驱动、逆变器和 UPS（不间断电源）系统，作为功率开关器件，提供快速的开关响应和低损耗操作。
由于其良好的热性能和高可靠性，PJSD15TM T/R 也常用于工业自动化设备、照明控制系统以及汽车电子系统中的功率控制模块。
STD15NB40T4, IRFZ44N, FDPF15N40
