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PJSD12LCFN2 R1 发布时间 时间:2025/8/14 21:15:00 查看 阅读:8

PJSD12LCFN2 R1是一款由Rohm Semiconductor生产的表面贴装低电容双向静电放电(ESD)保护二极管阵列。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电、浪涌电流和其他瞬态电压的损害而设计,适用于需要高可靠性ESD保护的便携式电子设备和通信设备。

参数

类型:ESD抑制器/TVS二极管
  通道数:1
  电压-反向关态:12V
  电压-击穿:13.3V(最小)
  电流-峰值脉冲(10/1000μs):2A
  功率-峰值脉冲:300W
  电源类型:双向
  工作温度:-55°C ~ 150°C
  安装类型:表面贴装
  封装/外壳:SOT-23-5

特性

PJSD12LCFN2 R1具有极低的结电容,使其适用于高速信号线路保护,例如USB、HDMI和以太网接口。其双向结构确保了在正负极性ESD事件中都能提供有效的保护。器件采用紧凑的SOT-23-5封装,适合空间受限的应用。此外,该ESD保护二极管具备低钳位电压和快速响应时间,有助于防止瞬态电压对下游电路造成损害。
  该器件还符合IEC 61000-4-2 Level 4 ESD标准,提供了高达±8kV接触放电和±15kV空气放电的保护等级。其高可靠性使其适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。

应用

该ESD保护二极管主要用于保护便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和数码相机)中的高速数据线路。此外,它也适用于通信设备、计算机外设、消费类电子产品和工业控制系统中的信号线路保护。

替代型号

PESD12LV1BA, NUP2105L, ESD9C3.3ST5G

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