PJSD08TS T/R 是一款由 Diodes 公司制造的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型的射频晶体管。该晶体管设计用于高频和射频放大应用,具有良好的线性性能和高频率响应能力。它采用 SOT-89 封装形式,适合表面贴装,适用于多种射频和通信电路。
类型:NPN 双极性晶体管
封装类型:SOT-89
最大集电极电流(IC):200 mA
最大集电极-发射极电压(VCE):30 V
最大集电极-基极电压(VCB):30 V
最大功耗(PD):300 mW
最大工作温度范围:-55°C 至 150°C
过渡频率(fT):250 MHz
电流增益(hFE):在 2 mA 时为 110 至 800(具体值取决于工作条件)
噪声系数(NF):5 dB(典型值)
PJSD08TS T/R 是一款专门设计用于射频应用的晶体管,具有良好的高频性能和较低的噪声系数。其高频响应能力使其适用于射频放大器和混频器等电路。该晶体管具有较高的线性度,适合用于低噪声放大器(LNA)设计。SOT-89 封装提供了良好的热性能和机械稳定性,同时支持表面贴装工艺,适用于自动化生产。此外,该器件的电流增益范围较宽,能够适应不同的电路设计需求。
这款晶体管还具有良好的温度稳定性,在较宽的温度范围内能够保持稳定的性能。其较低的噪声系数使其在通信系统中表现优异,尤其是在接收端的低噪声放大器中。由于其封装尺寸小,重量轻,也适用于便携式电子设备和无线通信模块的设计。
PJSD08TS T/R 主要用于射频和通信电路中,如低噪声放大器(LNA)、射频功率放大器、混频器、振荡器和射频开关等。它在无线通信设备、卫星接收器、射频测试仪器和便携式无线电设备中都有广泛应用。此外,由于其良好的线性性能和低噪声特性,也常用于无线局域网(WLAN)、蓝牙模块和射频识别(RFID)系统等应用中。
BC847 NPN BJT, 2N3904, 2N2222, BFQ54, BFQ57