时间：2025/6/3 10:45:21
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PJSD05MLTM是一款高性能、低导通电阻的N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等领域。该器件采用Trench工艺制造，具备优异的动态性能和热稳定性，封装形式为SOT-23，适合高密度表面贴装应用。
这款MOSFET以其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度著称，能够在高频工作条件下保持高效运行，同时提供出色的耐用性和可靠性。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
持续漏极电流(Id)：4.8A
导通电阻(Rds(on))：90mΩ（在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：460mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输和最小的传导损耗。
2. 快速开关性能降低了开关损耗，适用于高频应用。
3. 高度可靠的Trench技术提高了器件的鲁棒性。
4. 小型SOT-23封装节省PCB空间，支持紧凑型设计。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和降压/升压转换。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 便携式设备中的电机驱动和信号切换。
5. 各类消费类电子产品中的功率管理模块。
AO3400
Si2302DS
FDMC110AZ
