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PJS6812_S1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 6:50:07 查看 阅读:12

PJS6812_S1_00001 是一款由PanJit(强茂)公司生产的电子元器件,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。这种类型的器件通常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等高效率电力电子应用中。PJS6812_S1_00001 具有低导通电阻、高耐压和高电流能力,适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。该器件采用先进的制造工艺,确保在高频操作下的稳定性能,同时具备良好的热稳定性和耐用性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  功耗(Pd):200W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-263(D2PAK)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

PJS6812_S1_00001 MOSFET的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件具有高耐压能力,漏源电压可达60V,适用于多种电源管理应用。其高连续漏极电流能力(120A)使其在高功率应用中表现出色,例如电动工具、电源适配器以及工业控制系统。
  该器件采用TO-263(D2PAK)封装,这种封装形式具有良好的散热性能,适合高功率密度设计。表面贴装(SMD)安装方式则有助于提高PCB布局的灵活性和可靠性,特别是在需要高密度布线的现代电子设备中。
  PJS6812_S1_00001还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于需要长时间运行的工业和汽车电子应用。其栅极驱动电压范围较宽,兼容常见的驱动电路,降低了设计复杂性。此外,该器件在高频操作下仍能保持较低的开关损耗,这对于提高电源转换效率至关重要。
  由于其优异的电气性能和可靠性,PJS6812_S1_00001被广泛应用于各种电力电子系统,包括DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统(BMS)等。它不仅提高了系统的效率,还减少了发热问题,延长了设备的使用寿命。

应用

PJS6812_S1_00001 MOSFET主要用于高功率密度和高效率要求的电力电子应用中。常见的应用包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机控制电路、电动工具、电动汽车充电系统以及电池管理系统(BMS)。该器件的高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于需要高效能功率开关的场合,例如工业自动化设备、服务器电源和电信基础设施。此外,PJS6812_S1_00001也常用于汽车电子系统中,如车载充电器、电机驱动器和能量管理系统。

替代型号

SiR862ADP, IRF1405, FDP1405, AUIRF1405

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PJS6812_S1_00001参数

  • 现有数量11,955现货
  • 价格1 : ¥3.74000剪切带(CT)3,000 : ¥1.06606卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.7A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)56 毫欧 @ 3.7A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.57nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)350pF @ 10V
  • 功率 - 最大值1.25W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商器件封装SOT-23-6