时间：2025/8/15 0:44:28
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PJS50N03 T/R 是一款由 Power Innovations（现为ON Semiconductor的一部分）生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电流、低电压开关应用，具有出色的导通电阻和热性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.0085Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
安装方式：表面贴装（SMD）
PJS50N03 T/R 具有极低的导通电阻，这使其在高电流应用中表现出色，减少了导通损耗并提高了效率。
其高栅极电压容限（±20V）增强了器件在复杂电源环境中的可靠性。
该MOSFET采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和散热性能，有助于在高功耗条件下维持较低的工作温度。
此外，PJS50N03 T/R 的表面贴装封装（TO-252）适合自动化装配流程，广泛应用于现代电子制造。
该器件还具备出色的短路和过载承受能力，适用于需要高稳定性和耐用性的系统设计。
PJS50N03 T/R 常见于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池充电电路和负载开关控制。
由于其高电流能力和低导通电阻，它也被广泛应用于电动工具、电动车辆、工业自动化设备和服务器电源模块中。
此外，该MOSFET还适用于各种开关电源（SMPS）、电机驱动电路以及需要高效能功率开关的嵌入式系统设计。
Si4410BDY-E3, FDP50N30, IRF540N, NTD50N03LT4G
