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PJRB461F_R1_00001 发布时间 时间:2025/5/7 10:23:05 查看 阅读:12

PJRB461F_R1_00001 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著减少能量损耗并提升系统性能。
  其设计旨在支持高频开关操作,同时保持较低的开关损耗,适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-220
  最大漏源电压:60V
  最大栅极电压:±20V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.5mΩ
  功耗:300W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

PJRB461F_R1_00001 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低发热并提高效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 强大的过流保护功能,增强器件可靠性。
  4. 宽温工作范围,适应极端环境条件。
  5. 封装坚固耐用,便于安装和散热管理。
  这些特性使其成为高效率电力转换和控制的理想选择。

应用

PJRB461F_R1_00001 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率输出级。
  3. 工业自动化设备中的负载切换模块。
  4. 汽车电子系统中的电源管理单元。
  5. 大功率 LED 照明系统的驱动电路。
  由于其高效性和可靠性,这款芯片特别适合对能耗敏感的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, FQP50N06L, STP55NF06

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PJRB461F_R1_00001参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥3.02000剪切带(CT)3,000 : ¥0.56010卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)20 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)700mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)490 mV @ 700 mA
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 20 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装SOT-323
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 125°C