时间：2025/8/14 7:30:04
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PJQ5476AL-AU_R2_000A1是一款由Panjit公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用场合。该器件采用先进的工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A（Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值为6.7mΩ（在Vgs=10V时）
封装类型：PowerPAK SO-8双封装
工作温度范围：-55°C至150°C
PJQ5476AL-AU_R2_000A1具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中表现出色，同时降低了功率损耗和发热。
其先进的制造工艺确保了良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。
此外，其封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，同时保持较小的占板面积。
该器件的栅极驱动要求较低，能够兼容常见的驱动电路，从而简化设计。
该MOSFET适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。
在服务器和电信设备中，PJQ5476AL-AU_R2_000A1可用于高效能电源模块的设计。
此外，该器件也常用于电机控制和功率放大器电路中，以提供稳定的功率输出。
由于其高可靠性和耐久性，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统。
SiR142DP-T1-GE3, FDS4410A, AO4406A
