时间：2025/8/14 15:58:56
阅读：8
PJQ5443是一款由PowerJect Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻，同时具备高耐压和大电流能力。PJQ5443广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统以及电池供电设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：30V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：22mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：54W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
PJQ5443采用了先进的沟槽型功率MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而显著降低了导通状态下的功率损耗。这种低Rds(on)特性使得该器件在高电流应用中能够保持较高的效率，减少了发热并提高了系统稳定性。
该MOSFET具备较高的耐压能力，漏极-源极额定电压为30V，适用于多种中低压电源转换应用。其栅极-源极电压额定值为±20V，具有良好的栅极保护能力，避免因过高的驱动电压而损坏器件。
PJQ5443的连续漏极电流能力为16A，使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度的电源设计。该器件的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的热管理和可靠性，适合在紧凑的PCB布局中使用。
此外，PJQ5443在高温环境下依然能保持稳定的工作性能，工作温度范围达到-55°C至150°C，适用于工业级和车载级应用。其高可靠性和耐用性使其成为许多电源管理系统的首选MOSFET。
该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源适配器等应用中。由于其低导通电阻和高电流能力，PJQ5443也广泛应用于需要高效能和高可靠性的便携式设备和工业控制系统中。
SiSS14DN，IRLZ44N，FDS4410，AO4406
