时间：2025/8/14 7:56:10
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PJQ4468AP_R2_00001 是一款由 Renesas（瑞萨电子）公司推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于各种电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用。其封装形式为 SOP Advance Power Package（AP），便于散热和安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压 Vds：60V
栅极-源极电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（在 25°C 下）：120A
导通电阻 Rds(on)（最大值，Vgs=10V）：3.7mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SOP Advance Power Package（AP）
PJQ4468AP_R2_00001 是一款高性能功率 MOSFET，采用了先进的沟槽式结构技术，使得其导通电阻非常低，同时具备优异的热性能和高电流承载能力。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同应用场景下稳定工作，确保了良好的开关性能和可靠性。其低 Rds(on) 特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，适用于高要求的工业和汽车应用环境。由于其优异的热管理性能，该器件可以在高功率密度设计中使用，而不必担心过热问题。PJQ4468AP_R2_00001 还具备良好的抗静电能力，增强了其在复杂电磁环境中的稳定性。
PJQ4468AP_R2_00001 适用于多种高功率和高效率的电源管理应用，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统、负载开关、UPS（不间断电源）、服务器电源以及工业自动化设备。此外，由于其优异的热性能和高可靠性，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载信息娱乐系统等。
IPW65R045C7, STD120N6F7, FDP120N65S3
